PACVD = Plasma-Assisted Chemical Vapour Deposition
(Plasma-aktivierte chemische Dampfabscheidung)
Zur Herstellung metallfreier Kohlenstoffschichten setzt Oerlikon Balzers das Hochfrequenz-PACVD-Verfahren ein.
Die Prozessanordnung ähnelt der des Sputterns. Nach dem Sputtern einer metallischen Haftschicht wird eine Hochfrequenz-Wechselspannung angelegt.
Nach Einführung eines Gases, das die Elemente des Schichtmaterials enthält, findet in der Prozesskammer eine Gasentladung statt. In dieser entstehen Kohlenstoff- und Wasserstoff-Atome (Ionen und Radikale), die auf Werkzeugen und Bauteilen eine kompakte Schicht bilden. Durch Variation der angelegten Spannung werden die Schichteigenschaften beeinflusst.
1 Argon
2 Reaktionsgas
3 Werkstücke
4 Plasmasaum
5 Hochfrequenzanschluss
6 Vakuumpumpe
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