Cette technologie est basée sur une évaporation par arc pulsé. Ce procédé peut avoir lieu en atmosphère réactive d'oxygène. L'émission électronique et la densité de plasma sont contrôlés par un courant pulsé.


Avec la technologie P3eTM , il est possible de réaliser des dépôts à partir de presque tous les oxydes métalliques (Al2O3, ZrO2, Cr2O3, Ta2O5, etc.) et de leur combinaison.